①学习利用变温霍尔效应测量半导体薄膜的多种电学性质的方法。掌握霍尔系数、霍尔迁移率和电导率的测量方法，了解它们随温度的变化规律，进而测定样品的导电类型和载流子浓度，并计算出禁带宽度和杂质电离能等。 ②本实验低温恒温器为利用控制中心样品杆锥面间隙，改变汽化成泡条件来控制传到样品上的冷量，并通过控温仪控制加热，使样品的温度变化或恒定的系统，通过本实验掌握变温原理与控温实验方法
本实验不仅要求掌握变温霍尔效应测量的原理和方法，更着重于实验方法向实际科研工作中的拓展。在进行实验测量前要求对测量系统、样品电极制备方法和薄膜样品的测量原理进行文献调研，调研范围和要求如下：
地点:物理楼403室
实验时间：下午 2：00 开始
晚上 7：00 开始