动态MOS存储单元一个单管动态MOS存储单元如图4.4所示，它依靠寄生电容C存储数据，MOS管T负责读出和写入。

图4.4 单管动态MOS存储单元

(1)保持状态 　　当字线为"0"时，MOS管T截止，如果寄生电容C上充满电荷，则保存的数据为"1"；反之，保存的数据为"0"。 　　(2)读出过程 　　当字线为"1"时，如果原来存储的数据为"1"，电容C上的电荷经位线释放，则位线上有输出信号；如果原来存储的数据为"0"，电容C上没有电荷，则位线上没有输出信号。 　　(3)写入过程 　　当字线为"1"时，如果要写入"1"，则从位线上输入"1"，对电容C充电；如果要写入"0"，则从位线上输入"0"，这时，如果原来电容上有电荷，则很快被释放掉。 　　(4)再生过程 　　从上面的读出过程可以看到，在读出数据之后，电容C上原来存储的数据被破坏，必需重新写入。重新写入数据的过程称为"重写"或"再生"。