DRAM是依靠寄生电容C上存储的电荷来保存数据的，由于存在有漏电阻，电容C上存储的电荷很快就会泄漏掉，如果不及时补充电荷，在DRAM中存储的数据就会丢失，为了使　　DRAM中存储的能够长时间保留，必须及时补充电荷，这种定时为DRAM存储单元补充电荷的过程成为DRAM的刷新。 　　DRAM的刷新按行进行，每间隔2ms左右全部存储单元都必须刷新一次。刷新时，先把一整行的数据都读出来，然后再原样写回，读出的数据不送到芯片之外去。 　　刷新所占的时间应该比较短，要尽量减少对存储器正常读写的影响。例如，一个4M′4位的DRAM共有2048行，如果每2ms全部刷新一次，只要每2ms/2048"1微妙发出一次刷新命令，如果存储器的访问周期是20纳秒，那么，刷新只占了2％的时间。 　　当刷新与访问存储器发生矛盾时，要优先进行刷新。 　　刷新时，刷新控制电路发出行地址选择 信号，并且要在刷新计数器的控制下进行。 　　有些DRAM芯片采用隐藏刷新的方法，在每个读或写存储器周期之后都插入一个刷新周期。