异质基底上化学气相沉积金刚石形核及生长的研究
Nucleation and Growth of Diamond on Hetero-Substrates
by
Chemical Vapor Deposition
陈启谨
- [致谢] [符号说明] [发表及待发文章]
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摘要 (Abstract)
- 第一章 引言
- §1.1 本工作的目的和意义
- §1.2 金刚石的主要性质及其应用
- §1.3 化学气相沉积金刚石膜的鉴定
- §1.4 化学气相沉积金刚石膜研究概况
- §1.5 主要的CVD金刚石膜沉积方法及比较
- 参考文献
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第二章 热丝CVD金刚石膜生长的基本原理
- §2.1 实验装置
- §2.2 化学反应动力学
- §2.3 基本表面及气相化学反应
- §2.4 原子氢(H)的作用
- 参考文献
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第三章 金刚石膜晶形显露规律的实验研究
- §3.1 引言
- §3.2 实验及结果
- §3.3 讨论
- §3.4 小结
- 参考文献
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第四章 金刚石在异质基底上形核的实验研究
- §4.1 国际研究现状及存在的问题
- §4.2 极低压形核法
- §4.3
极低压形核法的一个应用: Ti薄膜上的金刚石形核与生长
- §4.4 电子发射增强形核的实现及机理研究
- §4.5 基本形核规律
- 参考文献
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第五章 单晶Si表面金刚石异质外延生长的研究
- §5.1 国际研究现状
- §5.2 极低压形核法实现Si上的金刚石外延生长
- §5.3 用电子发射增强形核法实现Si上金刚石外延
- §5.4 45°转角Si上金刚石异质外延的实验观察
- §5.5 金刚石/Si异质外延界面的HRTEM观察
- §5.6 本章小结
- 参考文献
- 结语
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