已有的实验条件：


　　拥有直流反应溅射、电子束蒸发、磁控溅射和MOCVD等多种薄膜制备手段。

　　建成了光谱综合特性测试装置，可测试薄膜反射光谱、透射光谱、光电导谱等光学性质；

　　拥有基本的半导体电学性质测试手段，包括：霍尔效应测量系统和深能级瞬态谱等以及测量薄膜厚度和折射率的椭偏仪和原子力显微镜以及真空高温炉等装置。

　　建成生长SiC和ZnO及其多层膜的连通式双反应室高温MOCVD设备 ，开拓了宽禁带半导体的研究新内容。