已取得的成果：
（一） . 课题发展初期
本课题组1995年开始从事ZnO光电功能薄膜的研究，并于1997年1月制出具有紫外发光性能的氧化锌薄膜。至1999年用直流溅射和MOCV方法在Si基片上生长出的ZnO薄膜其紫外发光亮度较初期提高两个数量级以上。
1999年在样品上观察到强的紫外受激发射现象和光生伏特效应。
2001年初，利用特殊的化学辅助掺杂方法制备了p-型氧化锌薄膜和同质p-n结，测量到良好的p-n 结特性。
目前正在改进掺杂工艺和p-n结制备技术。
1998年以来在 Appl. Phys. Lett. 等国内外学术刊物上发表有关氧化锌近40篇其中近一半被SCI收录。
（二） . 近年来的进展
1. 设计建成连通双反应室高温 MOCVD 装置（见设备栏）
专利证书号： 757066 公告日： 06-02-08
解决了 ZnO 和 SiC 外延生长的条件差别大和交叉污染问题，实现了单晶薄膜 ZnO/SiC/Si 异质生长。
2.ZnO的施主、受主参杂研究
制备了 ZnO 同质 p-n 结， ZnO 紫外探测器原型
部分图片资料：
