已取得的成果:

(一) . 课题发展初期

  本课题组1995年开始从事ZnO光电功能薄膜的研究,并于1997年1月制出具有紫外发光性能的氧化锌薄膜。至1999年用直流溅射和MOCV方法在Si基片上生长出的ZnO薄膜其紫外发光亮度较初期提高两个数量级以上。

  1999年在样品上观察到强的紫外受激发射现象和光生伏特效应。
  2001年初,利用特殊的化学辅助掺杂方法制备了p-型氧化锌薄膜和同质p-n结,测量到良好的p-n 结特性。
目前正在改进掺杂工艺和p-n结制备技术。
  1998年以来在 Appl. Phys. Lett. 等国内外学术刊物上发表有关氧化锌近40篇其中近一半被SCI收录。

(二) . 近年来的进展

1. 设计建成连通双反应室高温 MOCVD 装置(见设备栏)
专利证书号: 757066 公告日: 06-02-08
解决了 ZnO 和 SiC 外延生长的条件差别大和交叉污染问题,实现了单晶薄膜 ZnO/SiC/Si 异质生长

2.ZnO的施主、受主参杂研究
制备了 ZnO 同质 p-n 结ZnO 紫外探测器原型

部分图片资料:

单晶薄膜ZnO/SiC/Si异质生长的x射线Φ扫描图
ZnO同质p-n结I-V曲线和ZnO紫外探测器原型
获得样品的表面AFM照片(I)
获得样品的表面AFM照片(2)
氧化锌薄膜紫外受激发射及时间分辨光谱图
氧化锌薄膜不同颜色发光照片