主要研究方向和内容: 方向:宽禁带半导体材料及其光电特性。 内容:目前主要集中于ZnO 光电信息功能薄膜材料,研究它们的紫 外自发辐射和受激辐射性能、光电转换和光电耦合特性等。 目标是制备出ZnO 结型紫外光电探测器、紫外发光和激光二 极管等器件。 研究背景: 1996年香港和日本科学家在第23届半导体激光器国际会议上首 次报道ZnO微结构的紫外受激发射。 随后,在1997年5月9日出版的 Science杂志以 "Will UV Laser Beat the lue?" 为题 ,高度评价了氧化 锌在紫外激光器的应用前景,从而在国际范围内掀起了研究氧化锌 紫外发射的热潮。目前已成为新兴的前沿课题。 最新动态: 氧化锌课题组成功筹办第九届全国MOCVD学术会议 [2005.4]